当前的记忆市场价值每年165亿美元，由DRAM和NAND Flash主导。前者的耐力很快，但挥发性却是挥发性的，需要持续的数据刷新。另一方面，后者是非挥发性的，在没有动力时保留了数据，但较慢，程序/擦除循环耐力较差。

　　由英国兰开斯特大学（Lancaster University）衍生的奎纳斯技术（Quinas Technology）开发的Ultraram结合了两者的优势，提供了快速，非挥发性的记忆，并具有高耐力和超低的开关能量。

　　该技术最近在闪存峰会上获得了奖励，其寿命比闪存存储具有更高的寿命，与系统内存的读/写入速度相匹配，需要更少的功率。

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　　共振隧道

　　Ultraram利用一种称为谐振隧道的量子力学工艺，使其能够以快速，节能的写入和擦除能力提供非挥发性，从而导致高耐力。这种属性的结合以前被认为是无法实现的，为什么有些人将其称为“记忆技术的圣杯”。

　　Ultraram不是基于硅的，而是使用称为III-V化合物半导体的材料，包括抗抗氧化甲酯（GASB），砷化胺（INAS）和抗氧化铝（ALSB）。

　　与使用高电阻性氧化物屏障保持电荷的闪存不同，Ultraram使用INAS/ALSB的原子薄层来创建“三重级式谐振谐振 - 触发”（TBRT）电荷粉状结构。这允许Ultraram在高电阻状态和高导电状态之间切换，从而赋予其独特的属性。

　　Ultraram的能源效率无疑令人印象深刻。据报道，每单位区域的开关能量比DRAM低100倍，比Flash低1,000倍，比其他新兴记忆低10,000倍。它的非破坏性读取和不易挥发性进一步增强了其超低的能量证书，从而消除了刷新的需求。

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　　Ultraram的耐力也值得注意。奎纳斯（Quinas）声称，它已证明无降解的操作超过了1000万个程序/擦除周期。

　　鉴于数据中心正在消耗越来越多的电力，因此Ultraram的发展是及时的。通过减少使数据在主动记忆中保持生存所需的能量或将其转移到存储和有源内存之间，Ultraram可以显着降低该扇区的能量需求。

　　还有一个好处？发明人说，它可以使用半导体和硅行业中现有的制造工艺进行大规模生产。

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